24V 100Ah litiumionbatterier

En effektiv teksturstruktur kan øke kortslutningsstrømmen-, noe som bidrar til forbedret solcelleytelse. Denne artikkelen beskrev først korrosjonsadferden til silisiumskiver i et HF/HNO3/H2O-system. Ved å variere etseløsningsforholdet, temperaturen og tiden, ble korrosjonshastigheten, silisiumplatens reflektivitet og celleutgangsparametere undersøkt. Forsøkene fant at korrosjonshastigheten først økte og deretter avtok med økende HF-innhold i HF/HNO3/H2O-systemet, og økte med økende temperatur. Når det gjelder reflektivitet, ga HF:HNO3-forholdet på 3:1 den laveste reflektiviteten for silisiumskiver. Etter PECVD anti{13}}refleksjonsbelegg ble imidlertid denne fordelen noe redusert sammenlignet med wafere fremstilt under andre etsningsforhold. Når det gjelder celleutgangsparametere, viste HF:HNO3-forholdet på 3:1 lavere effektivitet, mens HF:HNO3-forholdet på 1:5, med litt høyere reflektivitet, oppnådde den høyeste effektiviteten. Basert på forskning på korrosjonsadferden til silisiumskiver i et HF/HNO₃/H₂O-system, foreslår denne artikkelen en ny tekstureringsmetode som involverer sekundær syreetsing, som skiller seg fra konvensjonelle produksjonsprosesser. Til å begynne med gjennomgår silisiumplaten en primær etsing i et HNO₃-rikt etsemiddel, etterfulgt av en sekundæretsing i et HF-rikt etsemiddel. Denne metoden optimerer overflateteksturen og reduserer lysrefleksjonstap på silisiumoverflaten. Etter teksturering ble overflatemorfologien til silisiumskivene analysert ved hjelp av et skanningselektronmikroskop (SEM), og reflektansspekteret ble målt med et Carry 5000 UV-Vis-NIR-spektrofotometer. Minimumsreflektiviteten til den sekundære etseprosessen (uten antirefleksjonsbelegg) var 20,34 %, 2,36 % lavere enn den primære etseprosessen (22,70 %). Videre ble den nye sekundære etseprosessen brukt på industriell produksjon av solceller, og celleutgangsparametrene ble analysert. Resultatene viser at åpen-kretsspenningen, kortslutningsstrømmen og effektiviteten til solcellene behandlet med den sekundære etseprosessen alle ble forbedret i varierende grad sammenlignet med de som brukte den primære etseprosessen, med den høyeste effektiviteten på 15,45 %.